BSP171P

更新时间： 2024-11-05 22:48:31

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SIPMOS Power Transistor (P-Channel Enhancement mode Avalanche rated Logic Level dv/dt rated)

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BSP171P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.25
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	526646	Samacsys Pin Count：	4
Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)	Samacsys Package Category：	SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	PG-SOT223	Samacsys Released Date：	2017-12-21 04:28:57
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	70 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.8 A	最大漏极电流 (ID)：	1.9 A
最大漏源导通电阻：	0.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	7.6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSP171P 数据手册

BSP 171 P

Preliminary data

SIPMOS Power Transistor

· P-Channel

· Enhancement mode

· Avalanche rated

· Logic Level

· dv/dt rated

Pin 1

Pin2/4

Pin 3

Type

Package

Ordering Code

DS(on)

@ V

BSP 171 P

-60 V -1.8 A 0.3 W

= -10 V P-SOT223-4-1 Q67041-S4019

Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T = 25 °C

-1.8

-1.15

-7.2

T = 100 °C

Pulsed drain current

D puls

T = 25 °C

Avalanche energy, single pulse

I = -1.8 A, V = -25 V, R = 25 W

Avalanche current,periodic limited by T

Avalanche energy,periodic limited by T

Reverse diode dv/dt

-1.8

0.18

jmax

j(max)

dv/dt

KV/µs

I = -1.8 A, V £ V , di/dt = 100 A/µs,

(BR)DSS

= 150 °C

jmax

Gate source voltage

±14

Power dissipation, T = 25 °C

1.8

°C

tot

Operating temperature

-55 ...+150

55/150/56

Storage temperature

stg

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Semiconductor Group

04 / 1998

12 3 4 5

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BSP171P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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