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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSP19,115 | NXP |
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BSP19_20 - NPN high-voltage transistors SC-73 4-Pin |
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| BSP192 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BSP192E-6327 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BSP192TRL | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BSP192TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| BSP19A | KEXIN |
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NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| BSP19A | TYSEMI |
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High Voltage: V(BR)CEO of 250 and 350 Volts. Available in 12 mm Tape and Reel |
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| BSP19AT1 | ONSEMI |
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NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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| BSP19AT1 | MOTOROLA |
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SOT.223 PACKAGE NPN SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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| BSP19AT1/D | ETC |
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NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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