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BSO051N03MSG

更新时间： 2024-02-17 16:47:51
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 330K
描述
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

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BSO051N03MSG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.78配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.0051 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSO051N03MSG 数据手册

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BSO051N03MS G  
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
5.1  
6.2  
18  
V
• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)  
• Low FOMSW for High Frequency SMPS  
• 100% Avalanche tested  
R DS(on),max  
V
V
GS=10 V  
GS=4.5 V  
mΩ  
I D  
A
• N-channel  
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
PG-DSO-8  
• Qualified for consumer level application  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
Type  
Package  
Marking  
BSO051N03MS G  
PG-DSO-8  
051N03MS  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
10 secs steady state  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
V
V
V
V
GS=10 V, T A=25 °C  
18  
12.3  
16  
14  
9.7  
13  
A
GS=10 V, T A=90 °C  
GS=4.5 V, T A=25 °C  
GS=4.5 V, T A=90 °C  
11  
8.8  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T A=25 °C  
126  
18  
Avalanche current, single pulse3)  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
T A=25 °C  
E AS  
100  
±20  
I D=18 A, R GS=25 Ω  
mJ  
V
V GS  
Power dissipation1)  
P tot  
T A=25 °C  
2.5  
1.56  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
Rev.1.1  
page 1  
2009-11-19  
1234567...9

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