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BSO080P03SH

更新时间： 2024-01-20 20:25:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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描述
OptiMOTM-P Power-Transistor

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BSO080P03SH 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GREEN, PLASTIC PACKAGE-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	248 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12.6 A
最大漏极电流 (ID)：	12.6 A	最大漏源导通电阻：	0.008 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSO080P03SH 数据手册

BSO080P03S H

OptiMOS™-P Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

-30

• P-Channel

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• Enhancement mode

-14.9

• Logic level

• 150°C operating temperature

PG-DSO-8

• Qualified according JEDEC for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

Package

Marking

lead free

Yes

Halogen free

packing

dry

BSO080P03S H

P-DSO-8

080P3S

Yes

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

≤10 secs steady state

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _A=25 °C¹⁾

I _D

Continuous drain current

-14.9

-11.9

-12.6

-10

T _A=70 °C¹⁾

T _A=25 °C²⁾

I _D,pulse

-60

248

±25

Pulsed drain current

E _AS

I _D=-14.9 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

V _GS

Gate source voltage

T _A=25 °C¹⁾

P _tot

Power dissipation

2.5

1.79

°C

T _j, T _stg

-55 ... 150

Operating and storage temperature

ESD class

JESD22-A114 HBM

260

Soldering temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

55/150/56

Rev. 1.31

page 1

2010-02-10

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与BSO080P03SH相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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