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BSO083N03MSGXUMA1

更新时间: 2024-01-18 05:47:53
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英飞凌 - INFINEON 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 673K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-8

BSO083N03MSGXUMA1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.82配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):9.8 A
最大漏源导通电阻:0.0083 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSO083N03MSGXUMA1 数据手册

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