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BSO104N03S

更新时间: 2024-01-17 15:35:20
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 238K
描述
OptiMOS2 Power-Transistor

BSO104N03S 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.8
Is Samacsys:N其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:0.0097 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):110 pFJEDEC-95代码:MS-012AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:3元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.56 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSO104N03S 数据手册

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BSO104N03S  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
9.7  
13  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for notebook DC/DC  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• Qualified according to JEDEC1 for target applications  
• N-channel  
• Logic level  
P-DSO-8  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• dv /dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
Q67042-S4210 104N3S  
BSO104N03S  
P-DSO-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
10 secs steady state  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T A=25 °C2)  
T A=70 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
13  
10  
10  
8
A
T A=25 °C3)  
I D,pulse  
52  
73  
Pulsed drain current  
E AS  
I D=13 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=13 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
T j,max=150 °C  
6
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
kV/µs  
V GS  
±20  
Gate source voltage  
V
T A=25 °C2)  
P tot  
Power dissipation  
2.5  
1.56  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
Rev. 1.11  
page 1  
2004-02-09  

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