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BSO119N03S

更新时间: 2024-02-20 03:52:30
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页数 文件大小 规格书
9页 238K
描述
OptiMOS2 Power-Transistor

BSO119N03S 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.8Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):9 A
最大漏极电流 (ID):9 A最大漏源导通电阻:0.0119 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):93 pF
JEDEC-95代码:MS-012AAJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:3
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1.56 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSO119N03S 数据手册

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BSO119N03S  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for notebook DC/DC  
R DS(on),max  
I D  
11.9  
11  
m  
A
• Qualified according to JEDEC1 for target applications  
• N-channel  
• Logic level  
P-DSO-8  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• dv /dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
Q67042-S4211 119N3S  
BSO119N03S  
P-DSO-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
10 secs steady state  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T A=25 °C2)  
T A=70 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
11  
9.0  
7.2  
A
9.1  
T A=25 °C3)  
I D,pulse  
44  
58  
Pulsed drain current  
E AS  
I D=11 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=11 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
T j,max=150 °C  
6
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
kV/µs  
V GS  
±20  
Gate source voltage  
V
T A=25 °C2)  
P tot  
Power dissipation  
2.5  
1.56  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
Rev. 1.11  
page 1  
2004-02-09  

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