是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.71 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7.4 A | 最大漏极电流 (ID): | 7.4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.02 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 580 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.56 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI4403CDY-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSO200P03SH | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM-P Power-Transistor | |
BSO200P03SHXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
BSO201SP | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor | |
BSO201SP H | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 | |
BSO201SPG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 20V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
BSO201SPH | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS P-Power-Transistor | |
BSO201SPNTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 20V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M | |
BSO203P | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor | |
BSO203PH | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS P-Power-Transistor | |
BSO203PHXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |