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BSO200P03S

更新时间: 2024-02-13 16:31:28
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 277K
描述
OptiMOS-P Small-Signal-Transistor

BSO200P03S 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:GREEN, PLASTIC PACKAGE-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.2Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):98 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):7.4 A最大漏极电流 (ID):7.4 A
最大漏源导通电阻:0.02 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:3元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.36 W最大脉冲漏极电流 (IDM):36.4 A
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSO200P03S 数据手册

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BSO200P03S  
OptiMOS®-P Small-Signal-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
-30  
20  
V
• P-Channel  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• Enhancement mode  
-9.1  
• Logic level  
• 150°C operating temperature  
• Avalanche rated  
P-DSO-8  
• dv /dt rated  
• Ideal for fast switching buck converter  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
Q67042-S4234 200P03S  
BSO200P03S  
P-DSO-8  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
10 secs steady state  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T A=25 °C1)  
T A=70 °C1)  
I D  
Continuous drain current  
-9.1  
-7.3  
-7.4  
-5.9  
A
T A=25 °C2)  
I D,pulse  
-37  
98  
Pulsed drain current  
E AS  
I D=-9.1 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=-9.1 A, V DS=20 V,  
di /dt =-200 A/µs,  
T j,max=150 °C  
-6  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
kV/µs  
V GS  
±25  
Gate source voltage  
V
T A=25 °C1)  
P tot  
Power dissipation  
2.36  
1.56  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
Rev. 1.01  
page 1  
2004-02-13  

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