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BSO203PHXUMA1

更新时间： 2024-09-23 20:38:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 316K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOP-8

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BSO203PHXUMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.63其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：97 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：5.7 A
最大漏源导通电阻：0.021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：3元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：32.8 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSO203PHXUMA1 数据手册

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BSO203P H  
OptiMOS® P-Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
-20  
21  
V
• dual P-Channel in SO8  
R DS(on),max  
V
V
GS=4.5 V  
GS=2.5 V  
mΩ  
• Qualified according JEDEC for target applications  
34  
• 150°C operating temperature  
• Super Logic Level (2.5V rated)  
I D  
-8.2  
A
• Pb-free plating; RoHS compliant, Halogen-free according to IEC61249-2-21  
PG-DSO-8  
Type  
Package  
Marking  
Lead free  
Halogen free  
Packing  
Yes  
BSO203P H  
PG-DSO-8  
203P  
Yes  
dry  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
10 secs steady state  
Continuous drain current1)  
I D  
V
V
GS=4.5 V, T A=25 °C  
GS=4.5 V, T A=70 °C  
-8.2  
-6.6  
-7.0  
-5.8  
A
V
V
GS=2.5 V, T A=25 °C  
GS=2.5 V, T A=70 °C  
-6.5  
-5.2  
-5.7  
-4.6  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T A=25 °C  
-32.8  
97  
I D=-8.2 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
V GS  
±12  
Gate source voltage  
V
Power dissipation1)  
P tot  
T A=25 °C  
2.0  
1.6  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
ESD class  
1B (500V - 1 kV)  
260  
JESD22-A114 HBM  
Soldering temperature  
°C  
55/150/56  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
Rev.1.31  
page 1  
2010-02-15  
1234567...9

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BSO203PHXUMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSO203PNTMA1 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 20V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
BSO204PNTMA1 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSO203PNTMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 20V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
BSO203SP INFINEON

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 		OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
BSO203SPH INFINEON

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 		OptiMOS P-Power-Transistor
BSO203SPHXUMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
BSO204P INFINEON

获取价格

 		OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
BSO204PNTMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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BSO211P INFINEON

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 		OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

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