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BSO201SPNTMA1

更新时间： 2024-09-23 21:13:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 85K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 20V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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BSO201SPNTMA1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.74其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：248 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：14.9 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：59.6 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSO201SPNTMA1 数据手册

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Preliminary data  
BSO201SP  
OptiMOS -P Small-Signal-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
-20  
8
V
DS  
• P-Channel  
R
mΩ  
A
DS(on)  
• Enhancement mode  
• Super Logic Level (2.5 V rated)  
• 150°C operating temperature  
• Avalanche rated  
• dv/dt rated  
I
-14.9  
D
1
2
3
4
8
7
6
5
S
S
S
G
D
D
D
D
Top View  
SIS00062  
Type  
Package  
Ordering Code  
BSO201SP  
SO 8  
Q67042-S4071  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
-14.9  
-11.9  
-59.6  
A
T =70°C  
A
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
A
248  
-6  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =-14.9 A , V =-10V, R =25Ω  
D
DD  
GS  
kV/µs  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
I =-14.9A, V =-16V, di/dt=200A/µs, T  
DS jmax  
=150°C  
S
V
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
P
±12  
2.5  
GS  
tot  
W
T =25°C  
A
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +150  
55/150/56  
j
stg  
Page 1  
2001-12-21  
12345678

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BSO201SPNTMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSO201SP H INFINEON

功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		OptiMOS P-Power-Transistor
BSO203PHXUMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
BSO203PNTMA1 INFINEON

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