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BSO201SP H

更新时间： 2023-09-03 20:39:35

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	314K
描述
英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。

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BSO201SP H 数据手册

BSO201SP H

OptiMOS^®P-Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

-20

8.0

• single P-Channel in SO8

• Qualified according JEDEC¹⁾for target applications

R _DS(on),max

_GS=4.5 V

_GS=2.5 V

mΩ

12.9

-14.9

• 150°C operating temperature

I _D

• Super Logic Level (2.5V rated)

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

PG-DSO-8

Packing

dry

Type

Package

Marking

Lead free

Halogen free

BSO201SP H

PG-DSO-8

201SP

Yes

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

10 secs steady state

Continuous drain current¹⁾

I _D

_GS=4.5 V, T _A=25 °C

14.9

11.9

11.8

9.4

12.0

9.4

9.3

7.4

_GS=4.5 V, T _A=70 °C

_GS=2.5 V, T _A=25 °C

_GS=2.5 V, T _A=70 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _A=25 °C

59.6

248

±12

I _D=-14.9 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

V _GS

Gate source voltage

Power dissipation¹⁾

P _tot

T _A=25 °C

2.5

1.6

°C

T _j, T _stg

-55 ... 150

Operating and storage temperature

ESD class

1C (< 2 kV)

260

JESD22-A114 HBM

Soldering temperature

°C

55/150/56

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Rev.1.32

page 1

2009-12-21

12 3 4 5 6 7...9

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BSO201SP H 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSO201SPNTMA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 20V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M

与BSO201SP H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSO201SPG	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 20V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
BSO201SPH	INFINEON	获取价格	OptiMOS P-Power-Transistor
BSO201SPNTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 20V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
BSO203P	INFINEON	获取价格	OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
BSO203PH	INFINEON	获取价格	OptiMOS P-Power-Transistor
BSO203PHXUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
BSO203PNTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 20V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
BSO203SP	INFINEON	获取价格	OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
BSO203SPH	INFINEON	获取价格	OptiMOS P-Power-Transistor
BSO203SPHXUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me