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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BSO201SPH
BSO201SPH PDF预览

BSO201SPH

更新时间： 2024-01-08 14:44:54
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 315K
描述
OptiMOS P-Power-Transistor

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BSO201SPH 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：GREEN, PLASTIC, DSO-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：248 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：9.3 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：59.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSO201SPH 数据手册

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BSO201SP H  
OptiMOS® P-Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
-20  
8.0  
V
• single P-Channel in SO8  
• Qualified according JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
V
V
GS=4.5 V  
GS=2.5 V  
mΩ  
12.9  
-14.9  
• 150°C operating temperature  
I D  
A
• Super Logic Level (2.5V rated)  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
PG-DSO-8  
Packing  
dry  
Type  
Package  
Marking  
Lead free  
Halogen free  
BSO201SP H  
PG-DSO-8  
201SP  
Yes  
Yes  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
10 secs steady state  
Continuous drain current1)  
I D  
V
V
V
V
GS=4.5 V, T A=25 °C  
14.9  
11.9  
11.8  
9.4  
12.0  
9.4  
9.3  
7.4  
A
GS=4.5 V, T A=70 °C  
GS=2.5 V, T A=25 °C  
GS=2.5 V, T A=70 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T A=25 °C  
59.6  
248  
±12  
I D=-14.9 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
V GS  
Gate source voltage  
V
Power dissipation1)  
P tot  
T A=25 °C  
2.5  
1.6  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
ESD class  
1C (< 2 kV)  
260  
JESD22-A114 HBM  
Soldering temperature  
°C  
55/150/56  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
Rev.1.32  
page 1  
2009-12-21  
1234567...9

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与BSO201SPH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSO201SPNTMA1 INFINEON

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BSO203P INFINEON

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 		OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
BSO203PH INFINEON

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 		OptiMOS P-Power-Transistor
BSO203PHXUMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
BSO203PNTMA1 INFINEON

获取价格

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
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 		OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
BSO204PNTMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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