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BSO200P03S

更新时间： 2024-02-05 07:14:28

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	63K
描述
MOS Small Signal Transistor

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BSO200P03S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	GREEN, PLASTIC PACKAGE-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	98 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.4 A	最大漏极电流 (ID)：	7.4 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	3	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.36 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36.4 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSO200P03S 数据手册

SMD Type

MOSFIECT

MOS Small Signal Transistor

KSO200P03S(BSO200P03S)

Features

P-Channel

Enhancement mode

Logic level

Avalanche rated

dv /dt rated

Ideal for fast switching buck converter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Continuous drain current TA=25

TA=70

Symbol

steady state

-7.4

Unit

10 secs

-9.1

-7.3

-5.9

-37

-6

I DP

EAS

Pulsed drain current TA=25

Avalanche energy, single pulse *1

Reverse diode dv /dt *2

dv /dt

VGS

kV/

Gate source voltage

Power dissipation

2.36

1.56

Thermal resistance,junction - soldering point

Thermal resistance,junction - ambient

Operating and storage temperature

RthJS

RthJA

T j, T stg

K/W

110

-55 to 150

*1 ID=-9.1A, RGS=25

*2 ID=-9.1A, VDS=20 V,di /dt =200 A/ s,Tj,max=150

www.kexin.com.cn

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