Datasheet > BSO080P03NS3G

BSO080P03NS3G

更新时间： 2024-02-19 02:51:28

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	654K
描述
OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BSO080P03NS3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.27	雪崩能效等级（Eas）：	149 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	9.8 A
最大漏源导通电阻：	0.008 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSO080P03NS3G 数据手册

ꢀ '$ ꢁ ꢂ ꢁ % ꢁ ꢃ # 'ꢃ ꢄ

"%&$!"#^bꢃ % ꢃ ꢅ% <C2>ꢅ(>.;?6?@<>

% ><1 A0@ 'A: : .>E

7NJ\]ZN[

)

%+(

0&(

Q C:? 8=6 )ꢀꢁ 92 ? ? 6= :? ,( ꢂ

)

_=Hꢈ ꢅ ꢇ .

_=Hꢈ ꢍ .

9H"\[#$ZNd

Q * E2 =:7:65 2 44@B5:? 8 $ ꢃ ꢄ ꢃ ꢁ ^)#7@B D2 B86D 2 AA=:42 D:@? C

))&,

),&0

Q ꢅ ꢆ ꢇ Tꢁ @A6B2 D:? 8 D6>A6B2 DEB6

Q ) _=Hꢈ ꢉ ꢆ .ꢊ CA64:2 ==I CE:D65 7@B ? @D63 @@< 2 AA=:42 D:@? C

E=%9HD%0

Q )3 ꢀ7B66 A=2 D:? 8ꢋ + @" , 4@>A=:2 ? D

Q 2 AA=:42 D:@? Cꢌ 3 2 DD6BI >2 ? 2 86>6? Dꢊ =@2 5 CG:D49:? 8

Q " 2 =@86? ꢀ7B66 2 44@B5:? 8 D@ #ꢃ ꢁ ꢍ ꢅ ꢉ ꢎ ꢏ ꢀꢉ ꢀꢉ ꢅ

DaYN

AJLTJPN

>JZTRWP

! 2.1 3>22

ꢈ .9<42; 3>22

AJLTRWP

LR_

ꢓ ,( ꢇ ꢂ ꢇ )ꢇ ꢖ ' ,ꢖ !

E=%9HD%0

(0(E+CH

LR_

? @? 5BI

" .D6: A: >.@6;4?ꢆ 2 D ( _Wꢈ ꢉ ꢆ Tꢁ ꢊ E? =6CC @D96BG:C6 CA64:7:65

FJU]N

AJZJVN\NZ

CaVKXU 4XWMR\RXW[

EWR\

ꢇ ꢁ ?20? ?@2.1 E ?@.@2

ꢁ @? D:? E@EC 5B2 :? 4EBB6? D^)#

)

_=Hꢈ ꢅ ꢇ .ꢊ ( ₆ꢈ ꢉ ꢆ Tꢁ

),&0

))&0

)*&,

1&1

)*&(

1&,

_=Hꢈ ꢅ ꢇ .ꢊ ( ₆ꢈ ꢐ ꢇ Tꢁ

_=Hꢈ ꢍ .ꢊ ( ₆ꢈ ꢉ ꢆ Tꢁ

_=Hꢈ ꢍ .ꢊ ( ₆ꢈ ꢐ ꢇ Tꢁ

1&0

/&0

)E=C65 5B2 :? 4EBB6? D^*#

( ₆ꢈ ꢉ ꢆ Tꢁ

9$]aY_R

),1

q*-

$ ₉ꢈ ꢅ ꢎ ꢒꢂ ꢑ ꢊ ' _=Hꢈ ꢉ ꢆ "

ꢑ F2 =2 ? 496 6? 6B8Iꢊ C:? 8=6 AE=C6

!2 D6 C@EB46 F@=D2 86

)

`\`

)@G6B 5:CC:A2 D:@? ^)#

( ₆ꢈ ꢉ ꢆ Tꢁ

*&-

)&.

( _Wꢊ ( _{_`T}

ꢀꢆ ꢆ ꢒꢒꢒ ꢅ ꢆ ꢇ

( A6B2 D:? 8 2 ? 5 CD@B2 86 D6>A6B2 DEB6

ꢃ ,ꢄ 4=2 CC

ꢅ ꢁ ꢔꢅ <. ꢀ ꢉ <.ꢕ

*.(

$ ꢃ ,ꢄ ꢉ ꢉ ꢀꢑ ꢅ ꢅ ꢎ " ꢓ &

,@=56B:? 8 D6>A6B2 DEB6

Tꢁ

--')-('-.

#ꢃ ꢁ 4=:>2 D:4 42 D68@BIꢋ ꢄ #' #ꢃ ꢁ ꢍ ꢂ ꢀꢅ

+ 6Fꢒ ꢉ ꢒꢉ

A2 86 ꢅ

ꢉ ꢇ ꢅ ꢇ ꢀꢇ ꢆ ꢀꢇ ꢍ

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

BSO080P03NS3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSO080P03SHXUMA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 12.6A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
BSO080P03SH	INFINEON	功能相似	OptiMOTM-P Power-Transistor
BSO080P03NS3EG	INFINEON	功能相似	OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor

与BSO080P03NS3G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BSO080P03S	INFINEON	获取价格	OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
BSO080P03S H	INFINEON	获取价格	英飞凌高度创新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足
BSO080P03SH	INFINEON	获取价格	OptiMOTM-P Power-Transistor
BSO080P03SHXUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12.6A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
BSO083N03MSG	INFINEON	获取价格	OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
BSO083N03MSGXUMA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
BSO094N03S	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor
BSO094N03S_09	INFINEON	获取价格	OptiMOS™2 Power-Transistor
BSO094N03SFUMA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
BSO104N03S	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor

与BSO080P03NS3G相关文章

深入解读IR2103资料手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-06

2
L7805CV手册解读：引脚说明、替代型号推荐、好坏检测
2024-06-06

2
MMBT5551资料手册解读：电气参数、替换型号推荐
2024-06-06

2
APW7073资料手册解读：产品特性、引脚说明、替换型号推荐
2024-06-06

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSO080P03NS3G

BSO080P03NS3G 技术参数

BSO080P03NS3G 数据手册

BSO080P03NS3G 替代型号

与BSO080P03NS3G相关器件

与BSO080P03NS3G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BSO080P03NS3G

BSO080P03NS3G 技术参数

BSO080P03NS3G 数据手册

BSO080P03NS3G 替代型号

与BSO080P03NS3G相关器件

与BSO080P03NS3G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？