生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.82 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0068 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 160 pF |
JEDEC-95代码: | MS-012AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BSO072N03SXT | INFINEON | Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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BSO080P03NS3EG | INFINEON | OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor |
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BSO080P03NS3G | INFINEON | OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor |
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BSO080P03S | INFINEON | OptiMOS-P Small-Signal-Transistor |
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BSO080P03S H | INFINEON | 英飞凌高度创新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |
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BSO080P03SH | INFINEON | OptiMOTM-P Power-Transistor |
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