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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0068 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 160 pF | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSO080P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor |
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| BSO080P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor |
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| BSO080P03S | INFINEON |
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OptiMOS-P Small-Signal-Transistor |
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| BSO080P03S H | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |
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| BSO080P03SH | INFINEON |
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OptiMOTM-P Power-Transistor |
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| BSO080P03SHXUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12.6A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| BSO083N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSO083N03MSGXUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| BSO094N03S | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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| BSO094N03S_09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™2 Power-Transistor |
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