是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 12 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0068 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 160 pF | JEDEC-95代码: | MS-012AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDS6680A | FAIRCHILD |
功能相似 |
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET | |
FDS7760A | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | |
FDS6670A | FAIRCHILD |
功能相似 |
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSO072N03S_09 | INFINEON |
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OptiMOS?2 Power-Transistor | |
BSO072N03SFUMA1 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
BSO072N03SXT | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
BSO080P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor | |
BSO080P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor | |
BSO080P03S | INFINEON |
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OptiMOS-P Small-Signal-Transistor | |
BSO080P03S H | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 | |
BSO080P03SH | INFINEON |
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OptiMOTM-P Power-Transistor | |
BSO080P03SHXUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 12.6A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M | |
BSO083N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |