5秒后页面跳转
BSO072N03S PDF预览

BSO072N03S

更新时间: 2024-01-27 02:59:29
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 238K
描述
OptiMOS2 Power-Transistor

BSO072N03S 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):12 A
最大漏源导通电阻:0.0068 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):160 pFJEDEC-95代码:MS-012AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BSO072N03S 数据手册

 浏览型号BSO072N03S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSO072N03S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSO072N03S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSO072N03S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSO072N03S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSO072N03S的Datasheet PDF文件第7页 
BSO072N03S  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
6.8  
15  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for notebook DC/DC  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• Qualified according to JEDEC1 for target applications  
• N-channel  
• Logic level  
P-DSO-8  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• dv /dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
BSO072N03S  
P-DSO-8  
Q67042-S4208  
72N3S  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
10 secs steady state  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T A=25 °C2)  
T A=70 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
15  
12  
12  
A
9.6  
T A=25 °C3)  
I D,pulse  
60  
Pulsed drain current  
E AS  
145  
I D=15 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=15 A, V DS=20 V,  
di /dt =200 A/µs,  
T j,max=150 °C  
6
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
kV/µs  
V GS  
±20  
Gate source voltage  
V
T A=25 °C2)  
P tot  
Power dissipation  
2.5  
1.56  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 150  
55/150/56  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
Rev. 1.11  
page 1  
2004-02-09  

BSO072N03S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS6680A FAIRCHILD

功能相似

Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDS7760A FAIRCHILD

功能相似

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDS6670A FAIRCHILD

功能相似

Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

与BSO072N03S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSO072N03S_09 INFINEON

获取价格

OptiMOS?2 Power-Transistor
BSO072N03SFUMA1 INFINEON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
BSO072N03SXT INFINEON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
BSO080P03NS3EG INFINEON

获取价格

OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor
BSO080P03NS3G INFINEON

获取价格

OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor
BSO080P03S INFINEON

获取价格

OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
BSO080P03S H INFINEON

获取价格

英飞凌高度创新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足
BSO080P03SH INFINEON

获取价格

OptiMOTM-P Power-Transistor
BSO080P03SHXUMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12.6A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
BSO083N03MSG INFINEON

获取价格

OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET