是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.81 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 13 A | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0065 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSO065N03MSGXUMA1 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
BSO072N03S | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor | |
BSO072N03S_09 | INFINEON |
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OptiMOS?2 Power-Transistor | |
BSO072N03SFUMA1 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
BSO072N03SXT | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- | |
BSO080P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor | |
BSO080P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor | |
BSO080P03S | INFINEON |
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OptiMOS-P Small-Signal-Transistor | |
BSO080P03S H | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS? 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 | |
BSO080P03SH | INFINEON |
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OptiMOTM-P Power-Transistor |