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BFR740EL3E6829XTSA1

更新时间： 2024-02-20 05:28:23

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英飞凌 - INFINEON		/
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22页	541K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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BFR740EL3E6829XTSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	10 weeks	风险等级：	5.76
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BFR740EL3E6829XTSA1 数据手册

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BFR740EL3

SiGe:C NPN RF bipolar transistor

Product description

The BFR740EL3 is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in a

low profile package.

Feature list

•

Low noise figure NF_min= 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA

High power gain G_ms= 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

Low profile and small form factor leadless package

High sensitivity low noise laser receiver matrix

High RF transistor h_FEcontrollability

Product validation

Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22.

Potential applications

•

Wireless communications: WLAN 2.4 GHz and 5-6 GHz bands, WiMax and UWB

Satellite communication systems: GNSS navigation systems (GPS, GLONASS, BeiDou, Galileo), satellite

radio (SDARs, DAB) and C-band LNB

•

Multimedia applications such as portable TV, CATV and FM radio

ISM applications like RKE, AMR and Zigbee, as well as for emerging wireless applications

Lidar based systems

Device information

Table 1

Part information

Product name / Ordering code

Package

Pin configuration

Marking

Pieces / Reel

BFR740EL3 / BFR740EL3E6829XTSA1

TSLP-3-10 1 = B 2 = C 3 = E R2

15000

Attention: ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precautions

Datasheet

www.infineon.com

Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document

v1.0

2018-09-26

12 3 4 5 6 7...22

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