BFR92

更新时间： 2024-02-01 11:20:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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9页	148K
描述
Silicon NPN Planar RF Transistor

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BFR92 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.17
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR92 数据手册

BFR92/BFR92R

Vishay Telefunken

Silicon NPN Planar RF Transistor

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

Applications

RF amplifier up to GHz range specially for wide band

antenna amplifier.

Features

High power gain

Low noise figure

High transition frequency

13 581

94 9280

9510527

BFR92 Marking: P1

BFR92R Marking: P4

Plastic case (SOT 23)

1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter

Absolute Maximum Ratings

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

CBO

CEO

EBO

≤ 60 C

tot

200

150

–65 to +150

amb

stg

Maximum Thermal Resistance

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

450

Unit

K/W

Junction ambient on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm

plated with 35 m Cu

Document Number 85032

Rev. 3, 20-Jan-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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