BFR92ALT1

更新时间： 2024-02-25 16:17:12

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
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2页	58K
描述
RF TRANSISTORS NPN SILICON

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BFR92ALT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.89
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.273 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz

BFR92ALT1 数据手册

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by BFR92ALT1/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

The RF Line

Designed primarily for use in high–gain, low–noise, small–signal UHF and

microwave amplifiers constructed with thick and thin–film circuits using surface

mount components.

•

T1 suffix indicates tape and reel packaging of 3,000 units per reel.

RF TRANSISTORS

NPN SILICON

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

mAdc

°C

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

CEO

CBO

EBO

Emitter–Base Voltage

2.0

Collector Current — Continuous

Maximum Junction Temperature

Jmax

150

Power Dissipation, T

Derate linearly above T

case

= 75°C

= 75°C @

0.273

3.64

mW/°C

case

D(max)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

–55 to +150

275

Unit

°C

Storage Temperature

stg

Thermal Resistance Junction to Case

°C/W

θJC

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23

DEVICE MARKING

LOW PROFILE

BFR92ALT1 = P2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Max

Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage (1)

(I = 10 mA)

2.0

—

Vdc

(BR)CEO

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 100 µA)

(BR)CBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 100 µA)

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

CBO

= 10 V)

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(I = 14 mA, V

C CE

—

Vdc

= 10 V)

Collector–Emitter Saturation Voltage (1)

(I = 25 mA, I = 5.0 mA)

0.5

1.2

CE(sat)

BE(sat)

Base–Emitter Saturation Voltage (1)

Vdc

(I = 25 mA, I = 5.0 mA)

NOTE:

(continued)

1. Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.

REV 7

MOTOROLA RF DEVICE DATA

Motorola, Inc. 1995

BFR92ALT1

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BFR92ALT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BFR92A,215	NXP	功能相似	BFR92A - NPN 5 GHz wideband transistor TO-236 3-Pin
MMBTH10-4LT1G	ONSEMI	功能相似	VHF/UHF Transistor
BFR92A	NXP	功能相似	NPN 5 GHz wideband transistor

与BFR92ALT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BFR92ALT3	MOTOROLA	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
BFR92AR	VISHAY	获取价格	Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR92AR-GELB	VISHAY	获取价格	暂无描述
BFR92ARGELB-GS08	VISHAY	获取价格	Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR92AR-GS08	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
BFR92AR-GS18	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
BFR92AT	NXP	获取价格	NPN 5 GHz wideband transistor
BFR92A-T	NXP	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
BFR92AT/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 25MA I(C) \| SOT-23
BFR92ATRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

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