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BFR92AF

更新时间： 2024-02-13 11:40:53
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威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 64K
描述
Silicon NPN Planar RF Transistor

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BFR92AF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.17
最大集电极电流 (IC)：0.035 A集电极-发射极最大电压：15 V
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：5000 MHz
Base Number Matches：1

BFR92AF 数据手册

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BFR92AF  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Silicon NPN Planar RF Transistor  
Description  
The main purpose of this bipolar transistor is broad-  
band amplification up to 1 GHz. In the space-saving  
3-pin surface-mount SOT-490 package electrical per-  
formance and reliability are taken to a new level cov-  
ering a smaller footprint on PC boards than previous  
packages. In addition to space savings, the SOT-490  
provides a higher level of reliability than other 3-pin  
packages, such as more resistance to moisture. Due  
to the short length of its leads the SOT-490 is also  
reducing package inductances resulting in some bet-  
16867  
Electrostatic sensitive device.  
Observe precautions for handling.  
ter electrical performance. All of these aspects make  
this device an ideal choice for demanding RF applica-  
tions.  
Applications  
Wide band amplifier up to GHz range.  
Mechanical Data  
Typ: BFR92AF  
Case: SOT-490 Plastic case  
Weight: approx. 2.5 mg  
Pinning: 1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter  
Features  
• High power gain  
• Low noise figure  
• High transition frequency  
Parts Table  
Part  
Marking  
Package  
BFR92AF  
P2  
SOT-490  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
amb  
Test condition  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
20  
CBO  
CEO  
EBO  
15  
V
V
2
30  
I
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
≤ 60 °C  
P
200  
amb  
tot  
T
150  
j
T
-65 to +150  
stg  
Maximum Thermal Resistance  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
450  
Unit  
K/W  
1)  
Junction ambient  
R
thJA  
1)  
3
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm plated with 35 µm Cu  
Document Number 85098  
Rev. 1.3, 30-Aug-04  
www.vishay.com  
1
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