BFR92AWT/R

更新时间： 2024-10-01 13:05:55

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	80K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, UMT3, CMPAK, S-MINI PACKAGE-3, BIP RF Small Signal

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BFR92AWT/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	PLASTIC, UMT3, CMPAK, S-MINI PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.3 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BFR92

NPN 5 GHz wideband transistor

September 1995

Product speciﬁcation

File under Discrete Semiconductors, SC14

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BFR92A,215	NXP	类似代替	BFR92A - NPN 5 GHz wideband transistor TO-236 3-Pin
BFR92AW,115	NXP	类似代替	BFR92AW - NPN 5 GHz wideband transistor SC-70 3-Pin

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BFR92AWT/T	PHILIPS	获取价格	Transistor
BFR92L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 25MA I(C) \| SOT-23
BFR92P	INFINEON	获取价格	NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 2GHz and fast non-saturated swit
BFR92P_07	INFINEON	获取价格	NPN Silicon RF Transistor
BFR92PE6327	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
BFR92P-E6433	INFINEON	获取价格	Transistor
BFR92PQ62702-F1050	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFR92R	VISHAY	获取价格	Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR92R-GS08	TEMIC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
BFR92R-GS18	TEMIC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili