BFR90

更新时间： 2024-01-31 06:02:49

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波
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5页	171K
描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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BFR90 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.18 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR90 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

BFR90

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

High Current-Gain – Bandwidth Product, fT = 5.0 GHz (typ) @ IC = 14 mA

Low Noise Figure – NF = 2.4 dB (typ) @ f = 0.5 GHz

High Power Gain – Gmax = 18dB (typ) @ f = 0.5 GHz

Macro T

(STYLE #2)

DESCRIPTION: Designed primarily for use in high-gain, low noise, small-signal amplifiers. Also used in

applications requiring fast switching times.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

3.0

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TA = 60ºC

Derate above 60ºC

180

2.0

mWatts

mW/ ºC

MSC1307.PDF 10-25-99

12 3 4 5

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BFR90 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC5010	NEC	功能相似	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
NE68519	NEC	功能相似	NONLINEAR MODEL

与BFR90相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BFR90A	TEMIC	获取价格	Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR90A	VISHAY	获取价格	Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR90A	NJSEMI	获取价格	Trans RF BJT NPN 15V 0.03A 3-Pin TO-50
BFR90AGELB	VISHAY	获取价格	Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR90AGELB-GS08	VISHAY	获取价格	Transistor
BFR91	VISHAY	获取价格	Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR91	ADPOW	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
BFR91	MICROSEMI	获取价格	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
BFR91A	VISHAY	获取价格	Silicon NPN Planar RF Transistor
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