BFR90A

更新时间： 2024-02-06 23:32:56

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	158K
描述
Silicon NPN Planar RF Transistor

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BFR90A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.18 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR90A 数据手册

^{Not for new design, this product will be obsoleted soon}BFR90A

Vishay Semiconductors

Silicon NPN Planar RF Transistor

Features

• High power gain

• Low noise figure

• High transition frequency

• Lead (Pb)-free component

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

19039

Applications

• RF amplifier up to GHz range specially for wide

band antenna amplifier

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

Mechanical Data

Case: TO-50 plastic case

Weight: approx. 111 mg

Pinning: 1 = collector, 2 = emitter, 3 = base

Parts Table

Part

Ordering code

BFR90AGELB

Marking

BFR90A

Remarks

Package

TO-50(3)

BFR90A

Packed in Bulk

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

V_CBO

Value

Unit

Collector base voltage

Collector emitter voltage

Emitter base voltage

Collector current

V_CEO

V_EBO

I_C

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

T_amb≤ 60 °C

P_tot

T_j

300

150

T_stg

- 65 to + 150

°C

Maximum Thermal Resistance

Parameter

Junction ambient

Note:

¹⁾on glass fibre printed board (40 x 25 x 1.5) mm³plated with 35 μm Cu

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

300

Unit

K/W

For technical support, please contact: RF-Transistor@vishay.com

Document Number 85029

Rev. 1.6, 08-Sep-08

www.vishay.com

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