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BFR90AGELB-GS08

更新时间： 2024-02-09 12:11:25

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威世 - VISHAY		/
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Transistor

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BFR90AGELB-GS08 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

BFR90AGELB-GS08 数据手册

BFR90A

Vishay Semiconductors

Silicon NPN Planar RF Transistor

Features

• High power gain

• Low noise figure

• High transition frequency

• Lead (Pb)-free component

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

19039

Electrostatic sensitive device.

Applications

RF amplifier up to GHz range specially for wide

band antenna amplifier.

Observe precautions for handling.

Mechanical Data

Case: TO-50 Plastic case

Weight: approx. 111 mg

Pinning: 1 = Collector, 2 = Emitter, 3 = Base

Parts Table

Part

Ordering code

Marking

Remarks

Package

BFR90A

BFR90AGELB-GS08

BFR90A

Packed in Bulk

TO-50(3)

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

Symbol

Value

Unit

Collector-base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

T_amb≤ 60 °C

P_tot

300

150

T_j

T_stg

- 65 to + 150

°C

Maximum Thermal Resistance

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

300

Unit

K/W

Junction ambient

¹⁾on glass fibre printed board (40 x 25 x 1.5) mm³plated with 35 μm Cu

Document Number 85029

Rev. 1.4, 29-Apr-05

www.vishay.com

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