BFR91

更新时间： 2024-02-10 05:18:30

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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8页	114K
描述
Silicon NPN Planar RF Transistor

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BFR91 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.75	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRDB-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz	Base Number Matches：	1

BFR91 数据手册

BFR91

Vishay Telefunken

Silicon NPN Planar RF Transistor

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

Applications

RF amplifier up to GHz range specially for wide band antenna amplifier.

Features

High power gain

Low noise figure

High transition frequency

94 9308

13623

BFR91 Marking: BFR91

Plastic case (TO 50)

1 = Collector, 2 = Emitter, 3 = Base

Absolute Maximum Ratings

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

CBO

CEO

EBO

≤ 60 C

tot

300

150

–65 to +150

amb

stg

Maximum Thermal Resistance

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

300

Unit

K/W

Junction ambient on glass fibre printed board (40 x 25 x 1.5) mm

plated with 35 m Cu

Document Number 85030

Rev. 3, 20-Jan-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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