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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, LOW NOISE | 外壳连接： | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | 基于收集器的最大容量： | 0.15 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 4 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 | 最高频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.16 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM | 标称过渡频率 (fT)： | 42000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFR740L3RH | INFINEON |
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NPN Silicon Germanium RF Transistor |
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| BFR750L3RH | INFINEON |
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NPN Silicon Germanium RF Transistor |
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| BFR750L3RHE6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor |
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| BFR77 | ETC |
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Medium Power Amplifiers and Switches |
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| BFR79 | TI |
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BFR79 |
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| BFR79 | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| BFR840L3RHESD | INFINEON |
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BFR840L3RHESD 是一款分立射频异质结双极晶体管 (HBT)，集成静电放电保护， |
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| BFR843EL3 | INFINEON |
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BFR843EL3 适用于高速低功耗应用的低噪声双频带预匹配放大器，采用小体积 TSLP |
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| BFR8S-1P1 | ITT |
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Circular Connector Adapter, 1 Contact(s), Male-Male |
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| BFR8S-1S1 | ITT |
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Circular Connector Adapter, 1 Contact(s), Female-Female |
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