BFR90

更新时间： 2024-01-01 23:04:18

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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9页	129K
描述
Silicon NPN Planar RF Transistor

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BFR90 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.18 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR90 数据手册

BFR90

Vishay Telefunken

Silicon NPN Planar RF Transistor

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

Applications

RF amplifier up to GHz range specially for wide band

antenna amplifier.

Features

High power gain

Low noise figure

High transition frequency

94 9308

13623

BFR90 Marking: BFR90

Plastic case (TO 50)

1 = Collector, 2 = Emitter, 3 = Base

Absolute Maximum Ratings

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

CBO

CEO

EBO

≤ 60 C

tot

300

150

–65 to +150

amb

stg

Maximum Thermal Resistance

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

300

Unit

K/W

Junction ambient on glass fibre printed board (40 x 25 x 1.5) mm

plated with 35 m Cu

Document Number 85028

Rev. 3, 20-Jan-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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