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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.8 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFR79 | TI |
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BFR79 |
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| BFR79 | MICRO-ELECTRONICS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| BFR840L3RHESD | INFINEON |
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BFR840L3RHESD 是一款分立射频异质结双极晶体管 (HBT)，集成静电放电保护， |
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| BFR843EL3 | INFINEON |
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BFR843EL3 适用于高速低功耗应用的低噪声双频带预匹配放大器，采用小体积 TSLP |
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| BFR8S-1P1 | ITT |
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Circular Connector Adapter, 1 Contact(s), Male-Male |
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| BFR8S-1S1 | ITT |
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Circular Connector Adapter, 1 Contact(s), Female-Female |
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| BFR90 | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFR90 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| BFR90 | ADPOW |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
|
| BFR90A | TEMIC |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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