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BFR90

更新时间： 2024-02-27 00:32:54

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ADPOW		射频微波
页数	文件大小	规格书
5页	121K
描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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BFR90 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.025 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.18 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR90 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

BFR90

BRF90G

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish

Features

High Current-Gain – Bandwidth Product, fT = 5.0 GHz (typ) @ IC = 14 mA

Low Noise Figure – NF = 2.4 dB (typ) @ f = 0.5 GHz

High Power Gain – Gmax = 18dB (typ) @ f = 0.5 GHz

Macro T

(STYLE #2)

DESCRIPTION: Designed primarily for use in high-gain, low noise, small-signal amplifiers. Also used in

applications requiring fast switching times.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

3.0

Thermal Data

Total Device Dissipation @ TA = 60ºC

Derate above 60ºC

180

2.0

mWatts

mW/ ºC

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

Rev A 9/2005

12 3 4 5

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