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BFR181-E6327

更新时间: 2024-02-02 14:48:11
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英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
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7页 166K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,

BFR181-E6327 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.26
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.02 A
基于收集器的最大容量:0.45 pF集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.175 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):8000 MHzBase Number Matches:1

BFR181-E6327 数据手册

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