BFR182TF

更新时间： 2024-01-06 06:53:46

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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4页	72K
描述
Silicon NPN Planar RF Transistor

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BFR182TF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.5 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz
Base Number Matches：	1

BFR182TF 数据手册

BFR182TF

Vishay Semiconductors

VISHAY

Silicon NPN Planar RF Transistor

Description

The main purpose of this bipolar transistor is broad-

band amplification up to 2 GHz. In the space-saving

3-pin surface-mount SOT490 package electrical per-

formance and reliability are taken to a new level cov-

ering a smaller footprint on PC boards than previous

packages. In addition to space savings, the SOT490

provides a higher level of reliability than other 3-pin

packages, such as more resistance to moisture. Due

to the short length of its leads the SOT490 is also re-

ducing package inductances resulting in some better

electrical performance. All of these aspects make this

device an ideal choice for demanding RF applica-

tions.

16867

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

Features

Mechanical Data

Typ: BFR182TF

Case: Plastic case (SOT 490)

Weight: 2.5 mg

Pinning: 1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter

• Small feedback capacitance

• Low noise figure

• High power gain

Applications

For low noise and high gain broadband amplifiers at

collector currents from 1 mA to 20 mA.

Parts Table

Part

Marking

Package

SOT490

BFR182TF

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

V_CBO

Value

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

V_CEO

V_EBO

I_C

°C

Base current

I_B

200

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

T_amb≤ 60 °C

P_tot

T_j

150

T_stg

- 65 to + 150

°C

Maximum Thermal Resistance

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

450

Unit

K/W

Junction ambient

¹⁾on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm³plated with 35 µm Cu

Document Number 85101

Rev. 2, 23-Sep-02

www.vishay.com

12 3 4

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