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BFR182TW

更新时间： 2024-01-15 20:49:24
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威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 71K
描述
Silicon NPN Planar RF Transistor

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BFR182TW 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.22Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.035 A
基于收集器的最大容量：0.5 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：8000 MHz
Base Number Matches：1

BFR182TW 数据手册

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BFR182T/BFR182TW  
Vishay Telefunken  
Silicon NPN Planar RF Transistor  
Electrostatic sensitive device.  
Observe precautions for handling.  
Applications  
For low noise and high gain broadband amplifiers at  
collector currents from 1 mA to 20 mA.  
Features  
Low noise figure  
High power gain  
1
1
13 652  
13 570  
13 581  
94 9280  
2
3
2
3
BFR182T Marking: RG  
Plastic case (SOT 23)  
BFR182TW Marking: WRG  
Plastic case (SOT 323)  
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter  
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
T
amb  
= 25 C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
V
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
15  
10  
2
35  
5
V
I
C
mA  
mA  
mW  
C
Base current  
I
B
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
≤ 60 C  
P
tot  
200  
150  
–65 to +150  
amb  
T
j
T
stg  
C
Maximum Thermal Resistance  
T
amb  
= 25 C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test Conditions  
Symbol  
R
thJA  
Value  
450  
Unit  
K/W  
3
Junction ambient on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm  
plated with 35 m Cu  
Document Number 85025  
Rev. 2, 20-Jan-99  
www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600  
1 (4)  
1234

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