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BFR182E6327HTSA1

更新时间： 2024-11-11 21:16:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
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6页 611K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

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BFR182E6327HTSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.57最大集电极电流 (IC)：0.035 A
基于收集器的最大容量：0.5 pF集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：8000 MHzBase Number Matches：1

BFR182E6327HTSA1 数据手册

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BFR182  
Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor  
• For low noise, high-gain broadband amplifiers at  
collector currents from 1 mA to 20 mA  
• f = 8 GHz, NF  
= 0.9 dB at 900 MHz  
T
min  
• Pb-free (RoHS compliant) package  
• Qualification report according to AEC-Q101 available  
ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
BFR182  
Marking  
RGs  
Pin Configuration  
2=E 3=C  
Package  
SOT23  
1=B  
Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
12  
20  
20  
2
35  
4
V
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
mA  
mW  
°C  
I
C
Base current  
Total power dissipation  
I
B
1)  
250  
P
tot  
T ≤ 93 °C  
S
150  
-65 ... 150  
-65 ... 150  
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
J
T
A
T
Stg  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction - soldering point  
Symbol  
Value  
230  
Unit  
K/W  
2)  
R
thJS  
1
T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb  
S
2
For the definition of R  
please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)  
thJS  
2014-04-07  
1
123456

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