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BFR181E6327HTSA1

更新时间： 2024-01-22 22:13:36

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	612K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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BFR181E6327HTSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	4 weeks
风险等级：	1.59	最大集电极电流 (IC)：	0.02 A
基于收集器的最大容量：	0.45 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz	Base Number Matches：	1

BFR181E6327HTSA1 数据手册

BFR181

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

• For low noise, high-gain broadband amplifiers at

collector currents from 0.5 mA to 12 mA

• f = 8 GHz, NF

= 0.9 dB at 900 MHz

min

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualification report according to AEC-Q101 available

ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFR181

Marking

RFs

Pin Configuration

2=E 3=C

Package

SOT23

1=B

Maximum Ratings at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

Base current

Total power dissipation

175

tot

T ≤ 91 °C

150

-65 ... 150

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

Stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

335

Unit

K/W

thJS

T is measured on the collector lead at the soldering point of the pcb

For the definition of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJS

2014-04-03

12 3 4 5 6

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