是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.22 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC): | 0.035 A |
基于收集器的最大容量: | 0.5 pF | 集电极-发射极最大电压: | 12 V |
配置: | SINGLE | 最高频带: | L BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 0.25 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 8000 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBT5179 | ONSEMI |
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NPN RF晶体管 |
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MMBT5179 | FAIRCHILD |
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NPN RF Transistor |
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BFR193 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broad |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BFR182_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
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BFR18-22P1 | ITT |
获取价格 |
Circular Connector Adapter, 3 Contact(s), Male-Male |
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BFR18-22S1 | ITT |
获取价格 |
Circular Connector Adapter, 3 Contact(s), Female-Female |
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BFR182E6327 | ROCHESTER |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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BFR182E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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BFR182T | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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BFR182T | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
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BFR182T_08 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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BFR182TF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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BFR182TW | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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