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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A | 基于收集器的最大容量： | 0.45 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.175 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFR181T-GS08 | TEMIC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
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| BFR181T-GS18 | TEMIC |
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暂无描述 |
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| BFR181TW | VISHAY |
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Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFR181TW-GS08 | VISHAY |
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Transistor |
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| BFR181TW-GS18 | VISHAY |
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Transistor |
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| BFR181W | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor )For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector curr |
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| BFR181W_10 | INFINEON |
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NPN Silicon RF Transistor |
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| BFR181WE6327 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| BFR181WH6327XTSA1 | INFINEON |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HALOGEN F |
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| BFR182 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector curr |
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