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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> BFR183
BFR183 PDF预览

BFR183

更新时间： 2024-01-21 20:27:13
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 61K
描述
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA)

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BFR183 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.27
最大集电极电流 (IC)：0.065 A基于收集器的最大容量：0.7 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最小功率增益 (Gp)：18.5 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：8000 MHz
Base Number Matches：1

BFR183 数据手册

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BFR 183  
NPN Silicon RF Transistor  
• For low noise, high-gain broadband amplifiers at  
collector current from 2 mA to 30mA  
• f = 8 GHz  
T
F = 1.2 dB at 900 MHz  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration  
Package  
BFR 183  
RHs  
Q62702-F1316  
1 = B  
2 = E  
3 = C  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
12  
20  
20  
2
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
I
I
65  
5
mA  
mW  
°C  
C
Base current  
B
Total power dissipation  
P
tot  
≤
T
60 °C  
450  
S
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
150  
j
- 65 ... + 150  
- 65 ... + 150  
A
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction - soldering point  
R
≤ 200  
K/W  
thJS  
1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.  
S
Semiconductor Group  
1
Dec-11-1996  
1234567

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