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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.24 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.065 A | 基于收集器的最大容量： | 0.57 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.28 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBTH10-4LT1G | ONSEMI |
功能相似  |
VHF/UHF Transistor |
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| BFP405 | INFINEON |
功能相似 |
NPN Silicon RF Transistor (For low current applications For oscillators up to 12 GHz) |
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| BFP183 | INFINEON |
功能相似 |
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector curr |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BFR183_07 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
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| BFR183E6327 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| BFR183E6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sil |
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| BFR183F | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
|
| BFR18-3P1 | ITT |
获取价格 |
Circular Connector Adapter, 2 Contact(s), Male-Male |
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| BFR183T | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFR183T | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
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| BFR183T | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
|
| BFR183TF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Planar RF Transistor |
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| BFR183T-GS08 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
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