5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> AUIRF1324STRL
AUIRF1324STRL PDF预览

AUIRF1324STRL

更新时间： 2024-11-09 06:38:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
13页 473K
描述
HEXFETPower MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

AUIRF1324STRL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.07Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：270 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：195 A最大漏极电流 (ID)：195 A
最大漏源导通电阻：0.00165 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1420 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRF1324STRL 数据手册

 浏览型号AUIRF1324STRL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AUIRF1324STRL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AUIRF1324STRL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AUIRF1324STRL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AUIRF1324STRL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AUIRF1324STRL的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97483  
AUIRF1324S  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRF1324L  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
Advanced Process Technology  
D
S
VDSS  
24V  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dV/dT Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free, RoHS Compliant  
Automotive Qualified *  
RDS(on) typ.  
1.3m  
Ω
G
ID  
340A  
(Silicon Limited)  
ID  
195A  
(Package Limited)  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of  
this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch-  
ing speed and improved repetitive avalanche rating . These features  
combine to make this design an extremely efficient and reliable  
device for use in Automotive applications and a wide variety of other  
S
S
D
G
D
G
D2Pak  
AUIRF1324S  
TO-262  
AUIRF1324L  
applications.  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only; and  
functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications is not implied. Exposure to absolute-  
maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured under  
board mounted and still air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
Max.  
340  
Units  
240  
A
195  
1420  
PD @TC = 25°C  
300  
Maximum Power Dissipation  
W
W/°C  
V
2.0  
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
± 20  
270  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Avalanche Current  
mJ  
A
See Fig. 14, 15, 22a, 22b  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
V/ns  
0.46  
Peak Diode Recovery  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
300  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.50  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθJA  
Junction-to-Ambient (PCB Mounted, steady-state)  
–––  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
03/29/2010  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

AUIRF1324STRL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF1324SPBF INFINEON

完全替代

 HEXFET Power MOSFET
AUIRF1324S INFINEON

类似代替

 HEXFETPower MOSFET

与AUIRF1324STRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRF1324STRL7P INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
AUIRF1324STRR INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET
AUIRF1324WL INFINEON

获取价格

 		暂无描述
AUIRF1404 INFINEON

获取价格

 		汽车Q101 40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO
AUIRF1404L INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
AUIRF1404S INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
AUIRF1404STRL INFINEON

获取价格

 		暂无描述
AUIRF1404STRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
AUIRF1404Z INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET
AUIRF1404ZL INFINEON

获取价格

 		HEXFET® Power MOSFET

与AUIRF1324STRL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证