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ASDM100R012NHT

更新时间： 2024-09-16 17:15:23

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安森德 - ASDsemi		/
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ASDM100R012NHT 数据手册

ASDM100R012NHT

100V N-Channel MOSFET

Features

Product Summary

●

Surface-mounted package

●

Advanced trench cell design

VDS

100

1.1

mΩ

RDS(on),Typ

I D

VGS=10 V

Application

300

●

LCD TV appliances

High power inverter system

LCDM appliances

TOLL

Limiting Values

Symbol

V_DS

Parameter

Drain-Source Voltage

Conditions

Min Max Unit

100

±20

300

282

1200

500

150

300

T_C= 25 ℃

V_GS

Gate-Source Voltage

T_C= 25 ℃, V_GS= 10 V

T_C= 100 ℃, V_GS= 10 V

T_C= 25 ℃, V_GS= 10 V

T_C= 25 ℃

I_D*^,***

Drain Current ( DC )

I_DM*^,**^,*** Drain Current ( Pulsed )

P_tot

T_stg

T_J

Drain power dissipation

Storage Temperature

℃

-55

Junction Temperature

I_S

Continuous-Source Current

Single Pulsed Avalanche Energy

T_C= 25 ℃

EAS

DD=50V , L=1.0mH

2592 mJ

R_θJA**

R_θJC**

Thermal Resistance- Junction to Ambient

Thermal Resistance- Junction to Case

℃/W

0.25

Notes：

Pulse width  300 s, duty cycle  2 %

** Surface Mounted on minimum footprint pad area.

*** Limited by bonding wire

www.ascendsemi.com

0755-86970486

May 2022 Version1.1

1/8

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