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ASDM100R042NHAG

更新时间： 2024-09-16 17:15:27

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安森德 - ASDsemi		/
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10页	2010K
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TO-263

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ASDM100R042NHAG 数据手册

ASDM100R042NHAG

100V N-Channel MOSFET

Features

Product Summary

• Fast Switching

• Low On Resistance

VDS

mΩ

100

3.2

• Low Gate Charge

• Low Reverse transfer capacitances

RDS(on),Typ@VGS=10V

•

High avalanche ruggedness

170

•

RoHS product

Application

• Switching applications

• Motor drivers

TO-263

at T_C=25°C，unless otherwise specified

ABSOLUTE RATINGS

Symbol

V_DSS

Parameter

Rating

Units

Drain-Source Voltage

100

Continuous Drain Current, Silicon Limited

Continuous Drain Current @T_C=100°C, Silicon Limited

Pulsed Drain Current

170

I_D

109

Note1

480

I_DM

Gate-Source Voltage

±20

625

V_GS

Note2

Avalanche Energy

E_AS

Power Dissipation

227.2

P_D

Derating Factor above 25°C

1.82

W/℃

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

Maximum Temperature for Soldering

150，–55 to 150

260

T_J，T_stg

℃

T_L

Note1：Repetitive Rating：Pulse width limited by maximum junction temperature

Note2：L=0.5mH, Ias=50A, Start T_J=25℃

Thermal characteristics

Symbol

Parameter

Max

0.55

62.5

Units

℃/W

thermal resistance, Junction-Case

R_θJC

thermal resistance, Junction-Ambient

℃/W

R_θJA

www.ascendsemi.com

0755-86970486

Sep 2022 Version1.0

1/10

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