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ASDM100R020NT

更新时间： 2024-11-18 17:15:43

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安森德 - ASDsemi		/
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10页	1937K
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TOLL

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ASDM100R020NT 数据手册

ASDM100R020NT

100V N-Channel MOSFET

Features

Fast Switching

•

Product Summary

Low Gate Charge and R_DS(ON)

capacitances

Low Reverse transfer

V DS

100

1.5

mΩ

R DS(on),Typ@ VGS=10 V

I D

Application

290

•

DC-DC converter

Portable Equipment

Power management

TOLL

Absolute Maximum Ratings:

Symbol

V_DSS

Parameter

Value

Units

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

100

290

160

1160

1225

T_C= 25 °C

I_D

T_C= 100 °C

I_DM

E_AS

Single pulse avalanche energy

Single pulse avalanche current

Gate-to-Source Voltage

Power Dissipation

I_AR

V_GS

P_D

±20

250

T_J，

T_STG

T_L

Operating Junction and Storage Temperature Range

Maximum Temperature for Soldering

150，–55 to 150

℃

260

Thermal Characteristics:

Symbol

Parameter

Value

Units

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

0.4

℃/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

www.ascendsemi.com

0755-86970486

NOV 2021 Version1.0

1/10

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