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ASDM100R028NHAG

更新时间： 2024-11-21 17:15:55

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安森德 - ASDsemi		/
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ASDM100R028NHAG 数据手册

ASDM100R028NHAG

100V N-Channel MOSFET

Features

Product Summary

l Excellent gate charge x R_DS(on)

product(FOM)

l Very low on-resistance

l 175 °C operating

DS(on)

VDS

mΩ

100

2.9

temperature

plating

RDS(on),Typ @VGS=10V

Pb-free lead

150

Applications

l DC/DC Converter

l Ideal for high-frequency switching and

synchronous

rectification

TO-263 top view

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

V^DS

±20

V^GS

150

113

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

I_D(100℃)

I_DM

600

Maximum Power Dissipation

240

W/℃

P_D

Derating factor

Single pulse avalanche energy ^{(Note 3)}

1.6

E_AS

1100

-55 To 175

Operating Junction and Storage Temperature Range

℃

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 1)}

R_θJC

R_θJA

0.63

℃/W

www.ascendsemi.com

0755-86970486

DEC 2020 Version1.0

1/7

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