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AOD508

更新时间: 2024-09-14 17:15:43
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友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
6页 596K
描述
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):30V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):70A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:3mΩ@10V;漏源导通电阻:4.5mΩ@4.5V

AOD508 数据手册

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R
AOD508  
UMW  
30V N-Channel MOSFET  
General Description  
• Very Low RDS(on) at 10VGS  
• Low Gate Charge  
• High Current Capability  
Application  
• DC/DC Converters in Computing  
• Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial  
100% UIS Tested  
100% Rg Tested  
D
VDS(V) = 30V  
ID = 70A (VGS= 10V)  
RDS(ON) < 3m(V GS = 10V)  
RDS(ON) < 4.5m(V GS = 4.5V)  
G
S
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
30  
±20  
70  
V
V
V
V
GS  
TC=25°C  
Continuous Drain  
Current G  
ID  
TC=100°C  
55  
A
Pulsed Drain Current C  
IDM  
159  
22  
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous Drain  
Current  
IDSM  
A
18  
Avalanche Current C  
Avalanche energy L=0.1mH C  
IAS  
37  
A
mJ  
V
EAS  
68  
VDS Spike  
100ns  
VSPIKE  
36  
TC=25°C  
TC=100°C  
TA=25°C  
TA=70°C  
50  
PD  
W
Power Dissipation B  
Power Dissipation A  
25  
2.5  
PDSM  
W
°C  
1.6  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient  
Maximum Junction-to-Ambient  
Maximum Junction-to-Case  
Symbol  
Typ  
16  
Max  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
t 10s  
20  
50  
3
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
41  
RθJC  
2.1  
www.umw-ic.com  
UTD Semiconductor Co.,Limited  
1

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