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AO3403A

更新时间： 2024-10-31 17:15:51

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
6页	632K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2.6A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:75mΩ@-10V

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AO3403A 数据手册

UMW

UMW AO3403A

30V P-Channel MOSFET

Features

SOT–23

● VDS (V) = -30V

● ID = -2.6A (at V_GS=-10V)

● RDS(ON) ＜

mΩ (at V_GS=-10V)

mΩ (at V_GS=-4.5V)

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

Equivalent Circuit

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

V_D_D

-30

±12

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A=25°C

T_A=70°C

-2.6

Continuous Drain

Current

Pulsed Drain Current ^C

I_D

-2.2

I_DM

P_D

-13

T_A=25°C

T_A=70°C

1.4

Power Dissipation ^B

°C

0.9

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Lead

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

≤ 10s

R_θJA

Steady-State

100

125

R_θJL

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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