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AO3406A

更新时间： 2024-11-21 17:15:39

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友台半导体 - UMW		/
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4页	1433K
描述
漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:3.5A;最大功耗（Ta = 25°C）:1.25W;种类:N沟道

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AO3406A 数据手册

UMW

UMW AO3406A

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

SOT–23

■ Features

● VDS (V) = 30V

● RDS(ON) ＜ 57mΩ (VGS =-10V)

● RDS(ON) ＜ 94 mΩ (VGS =-4.5V)

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

MARKING

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

VDS

Gate-Source Voltage

±20

3.5

Ta=25℃

Ta=70℃

Continuous Drain Current Tj=150℃ *1

2.8

Pulsed Drain Current

IDM

1.25

0.8

Ta=25℃

Power Dissipation

℃/W

℃

Ta=70℃

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

100

t ≤ 5 sec

Steady State

RthJA

130

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to 150

*1.Surface Mounted on FR4 Board,.t ≤ 5 sec

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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