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AO3407AL

更新时间: 2024-11-18 13:05:35
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美国万代 - AOS /
页数 文件大小 规格书
5页 585K
描述
Transistor

AO3407AL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.57
Base Number Matches:1

AO3407AL 数据手册

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AO3407  
30V P-Channel MOSFET  
General Description  
Product Summary  
VDS  
-30V  
The AO3407 uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is  
suitable for use as a load switch or in PWM applications.  
ID (at VGS=10V)  
RDS(ON) (at VGS=10V)  
-4.1A  
< 52m  
< 87mΩ  
RDS(ON) (at VGS = 4.5V)  
SOT23  
D
Top View  
Bottom View  
D
D
G
G
S
S
S
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
-30  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
VGS  
±20  
TA=25°C  
TA=70°C  
-4.1  
Continuous Drain  
Current  
ID  
-3.5  
A
Pulsed Drain Current C  
IDM  
PD  
-25  
1.4  
TA=25°C  
TA=70°C  
W
°C  
Power Dissipation B  
0.9  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
70  
Max  
90  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Ambient A D  
Maximum Junction-to-Lead  
t
10s  
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
100  
63  
125  
80  
RθJL  
深圳市信德意电子有限公司  
http://www.cxtke.com  
QQ:2355608068  

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