AO3407AL

更新时间： 2024-02-05 00:34:03

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美国万代 - AOS		/
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5页	585K
描述
Transistor

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AO3407AL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

AO3407AL 数据手册

AO3407

30V P-Channel MOSFET

General Description

Product Summary

V_DS

-30V

The AO3407 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON)with low gate charge. This device is

suitable for use as a load switch or in PWM applications.

I_D(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

-4.1A

< 52mΩ

< 87mΩ

R_DS(ON)(at V_GS= 4.5V)

SOT23

Top View

Bottom View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

-30

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_A=25°C

T_A=70°C

-4.1

Continuous Drain

Current

I_D

-3.5

Pulsed Drain Current ^C

I_DM

P_D

-25

1.4

T_A=25°C

T_A=70°C

°C

Power Dissipation ^B

0.9

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Ambient ^{A D}

Maximum Junction-to-Lead

≤ 10s

R_θJA

Steady-State

100

125

R_θJL

深圳市信德意电子有限公司

http://www.cxtke.com

QQ：2355608068

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