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AO3407

更新时间： 2024-11-19 17:15:43

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浩畅 - HC		/
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SOT-23-3L

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AO3407 数据手册

SHENZHEN HAOCHANG SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate MOSFETS

SOT-23-3

Unit: mm

AO3407 P-Channel Enhancement MOSFET

+0.2

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

VDS (V) = -30V

ID = -4.1 A

+0.02

-0.02

+0.1

0.95

-0.1

0.15

RDS(ON)

52m (VGS = -10V)

87m (VGS = -4.5V)

+0.1

-0.2

1.9

1. Gate

2. Source

3. Drain

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

-30

Unit

Gate-Source Voltage

±20

-4.1

-3.5

-20

Continuous Drain Current

Ta = 25℃

Ta = 70℃

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

IDM

1.4

Ta = 25℃

Ta = 70℃

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

t ≤10s

RthJA

℃/W

℃

Steady State

125

Thermal Resistance.Junction- to-Lead

Junction Temperature

thJL

150

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

浩畅半导体

RevK：M ay2014

www.szhaochang.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AO3407 (KO3407)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
AO3407_11	AOS	获取价格	30V P-Channel MOSFET
AO3407A	AOS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO3407A	UMW	获取价格	漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-4.2A;栅极-源
AO3407A (KO3407A)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
AO3407A_11	AOS	获取价格	30V P-Channel MOSFET
AO3407AL	AOS	获取价格	Transistor
AO3407-HF	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
AO3409	KEXIN	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO3409	FREESCALE	获取价格	P - Channel Logic Level MOSFET Low Gate Charge