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AO3410

更新时间： 2024-11-19 18:09:51

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SOT-23

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AO3410 数据手册

AO3410

LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL)

FEATURES

 Ultra low on-resistance:V_DS=30V,R_DS(ON)≤28mΩ@V_GS=10V,I_D=5.8A

 For PWM application

 For Load switch application

 Surface Mount device

SOT-23

MECHANICAL DATA



Case: SOT-23

Case Material: Molded Plastic. UL flammability

Classification Rating: 94V-0

Weight: 0.008 grams (approximate)

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Drain-source voltage

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

±12

Gate-source voltage

TA=25°C

5.8

Continuous drain current

TA=70°C

I_D

4.9

IDM

Pulsed drain current

TA=25°C

P_D

1.40

Power dissipation

TA=70°C

Thermal resistance from Junction to ambient

Junction temperature

R_θJA

125

°C/W

°C

150

Storage temperature

TSTG

-55 ~+150

1 / 4

©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD

E-mail:hkt@heketai.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AO3410 (KO3410)	KEXIN	获取价格	N-Channel MOSFET
AO3410L	AOS	获取价格	PACKAGE MARKING DESCRIPTION
AO3411	FREESCALE	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Fast switching speed
AO3411	FREESCALE	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
AO3413	AOS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO3413	HOTTECH	获取价格	SOT-23
AO3413 (KO3413)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
AO3413_10	AOS	获取价格	20V P-Channel MOSFET
AO3413A	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C
AO3414	TYSEMI	获取价格	VDS (V) = 20V ID= 4.2A (VGS=4.5V) RDS(ON) 50m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 63m (VGS = 2.5V)